N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
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IMZA65R040M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZA65R040M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZA65R040M2HXKSA1
Beschreibung
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 4,6mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
997 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
172W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 20V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
36mOhm bei 22,9A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 2
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 9,94000€ 9,94
30€ 5,85100€ 175,53
120€ 4,95217€ 594,26
510€ 4,29378€ 2 189,83
1 020€ 4,05371€ 4 134,78
2 010€ 3,85600€ 7 750,56
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 9,94000
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