Name: IMW65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Price: 10.3944 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41

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IMW65R048M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW65R048M1HXKSA1
Beschreibung	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMW65R048M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 6mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (Max.) +23V, -5V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1118 pF @ 400 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 39 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Basis-Produktnummer IMW65R048
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 64mOhm bei 20,1A, 18V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
MSC035SMA070B	Microchip Technology	240	MSC035SMA070B-ND	€ 8,96000	Ähnlich

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