Name: IMW120R045M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R045M1XKSA1-ND
Price: 14.1032 EUR
Availability: InStock

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IMW120R045M1XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMW120R045M1XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW120R045M1XKSA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 52 A (Tc) 228W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMW120R045M1XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	52 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	59mOhm bei 20A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,7V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1900 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	228W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-41
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IMW120

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