Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 17.385 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMT65R015M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R015M2HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 131 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,2mOhm bei 64,2A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 79 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2792 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 131 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN