Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 16.0552 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMT65R015M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R015M2HXUMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 131 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	131 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13,2mOhm bei 64,2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 13mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2792 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	535W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 13,16000	€ 13,16
10	€ 9,27900	€ 92,79
100	€ 8,42350	€ 842,35

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
2 000	€ 6,88196	€ 13 763,92

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