Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 5.9658 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBF170R650M1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBF170R650M1XTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 7,4 A (Tc) 88W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-13
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBF170R650M1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	650mOhm bei 1,5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,7V bei 1,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 12 V
Vgs (Max.)	+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	422 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	88W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-13
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IMBF170