Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
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IDH08G65C5XKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IDH08G65C5XKSA2-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IDH08G65C5XKSA2
Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IDH08G65C5XKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
140 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
250pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
IDH08G65
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