Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
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IDH04G65C5XKSA2

DigiKey-Teilenr.
IDH04G65C5XKSA2-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IDH04G65C5XKSA2
Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 4 A
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
70 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
130pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
IDH04G65
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,15000€ 2,15
50€ 1,04700€ 52,35
100€ 0,93960€ 93,96
500€ 0,75112€ 375,56
1 000€ 0,69051€ 690,51
2 000€ 0,63956€ 1 279,12
5 000€ 0,58445€ 2 922,25
10 000€ 0,55230€ 5 523,00
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,15000
Stückpreis mit MwSt.:€ 2,62300
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