Dioden 1200 V 2A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
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IDH02G120C5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IDH02G120C5XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IDH02G120C5XKSA1
Beschreibung
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Standardlieferzeit des Herstellers
39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 2A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IDH02G120C5XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.65 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
18 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
182pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
IDH02G120
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