Name: IAUZN08S7N046ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND
Price: 2.5132 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUZN08S7N046ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUZN08S7N046ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUZN08S7N046ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUZN08S7N046ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 99A TSDSON-8-39
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 99A（Tj） 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-39
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUZN08S7N046ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,2V bei 35µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2265 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 99A（Tj）	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8-39
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,6mOhm bei 30A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN