Name: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND
Price: 1.525 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC80N04S6N036ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC80N04S6N036ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A 8TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 80 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC80N04S6N036ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™ 6	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1338 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,68mOhm bei 40A, 10V	Basis-Produktnummer IAUC80
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 18µA