Name: BSZ180P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

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BSZ180P03NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ180P03NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 9 A (Ta), 39,6 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ180P03NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,1V bei 48µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2220 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 40W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Ta), 39,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer BSZ180
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 20A, 10V