Name: BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0904NSIATMA1TR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSZ0904NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ0904NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ0904NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ0904NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 18 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ0904NSIATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1463 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 37W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Ta), 40 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8-FL
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer BSZ0904