Name: BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.8178 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSP135H6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSP135H6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSP135H6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSP135H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSP135H6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSP135H6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45Ohm bei 120mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 94µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	146 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	BSP135