Name: BSC160N15NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND
Price: 3.9406 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC160N15NS5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC160N15NS5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC160N15NS5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC160N15NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC160N15NS5SCATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 56 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-WSON-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC160N15NS5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	56 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16mOhm bei 28A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1820 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	115W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WSON-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN