Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.0496 EUR
Availability: InStock

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BSC123N08NS3GATMA1
cms-digikey-product-number	BSC123N08NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC123N08NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSC123N08NS3GATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
cms-standard-lead-time	26 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 80 V 11 A (Ta), 55 A (Tc) 2,5W (Ta), 66W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	BSC123N08NS3GATMA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12,3mOhm bei 33A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 33µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1870 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 66W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC123

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,68000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,04960

BSC123N08NS3GATMA1