Name: BSC0500NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0500NSIATMA1TR-ND
Price: 2.1594 EUR
Availability: InStock

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BSC0500NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC0500NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC0500NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC0500NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0500NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 35 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC0500NSIATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,3mOhm bei 30 A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3300 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC0500

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,77000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,15940

BSC0500NSIATMA1