AUIRFS8408-7P Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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AUIRFS8408-7P
DigiKey-Teilenr.	IRAUIRFS8408-7P-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRFS8408-7P
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 240 A (Tc) 294W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-900
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 315 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie HEXFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10250 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 294W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 240 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-900
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche), TO-263CB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1mOhm bei 100A, 10V	Basis-Produktnummer IRFS8408
Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 250µA

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