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N-Kanal 200 V 172 A (Tc) 428W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IS20M6R3S1P

DigiKey-Teilenr.
6500-IS20M6R3S1P-ND
Hersteller
iDEAL Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
IS20M6R3S1P
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 172 A (Tc) 428W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
iDEAL Semiconductor
Serie
SuperQ™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
172 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10777 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
428W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
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Menge
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