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RFW2N06RLE | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 2156-RFW2N06RLE-ND |
Hersteller | Harris Corporation |
Hersteller-Teilenummer | RFW2N06RLE |
Beschreibung | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 2 A (Tc) 1,09W (Tc) Durchkontaktierung 4-DIP, Hexdip |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) +10V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 535 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 1,09W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 200mOhm bei 2A, 5V |
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