Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 0.57028 EUR
Availability: InStock

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IRFD112
DigiKey-Teilenr.	2156-IRFD112-ND
Hersteller	Harris Corporation
Hersteller-Teilenummer	IRFD112
Beschreibung	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-DIP, Hexdip
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Harris Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 135 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 800mA (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 800mOhm bei 800mA, 10V

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