Name: GT023N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10T-ND
Price: 4.8312 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 140 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

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GT023N10T
DigiKey-Teilenr.	3141-GT023N10T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GT023N10T
Beschreibung	N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 140 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 250µA
Herst. Goford Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8086 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 140 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7mOhm bei 20A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,96000	€ 3,96
50	€ 2,03340	€ 101,67
100	€ 1,84670	€ 184,67
500	€ 1,51942	€ 759,71
1 000	€ 1,41432	€ 1 414,32
2 000	€ 1,32600	€ 2 652,00
5 000	€ 1,29291	€ 6 464,55

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