Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65F-ND
Price: 5.1118 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GC20N65F
DigiKey-Teilenr.	3141-GC20N65F-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GC20N65F
Beschreibung	N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 10A, 10V
Herst. Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie SuperJunction	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1603 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220F
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack

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100	€ 1,96180	€ 196,18
500	€ 1,61812	€ 809,06
1 000	€ 1,50777	€ 1 507,77
2 000	€ 1,41504	€ 2 830,08
5 000	€ 1,39171	€ 6 958,55

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