MRAM (magnetoresistiver RAM) Speicher IC 128Mbit xSPI - Quad I/O 133 MHz 7 ns 24-TBGA (6x8)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

EM128LXQAB313ES2T

DigiKey-Teilenr.
819-EM128LXQAB313ES2T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
EM128LXQAB313ES2T
Beschreibung
QUAD SPI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MRAM (magnetoresistiver RAM) Speicher IC 128Mbit 133 MHz 7 ns 24-TBGA (6x8)
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
EM128LXQAB313ES2T Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Speicherformat
Technologie
MRAM (magnetoresistiver RAM)
Speichergröße
Speicherorganisation
16 M x 8
Speicherschnittstelle
xSPI - Quad I/O
Taktfrequenz
133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
7 ns
Spannung - Versorgung
1,7V bis 2V
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TA)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
24-TBGA (6x8)
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