Name: DIW065SIC049
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW065SIC049-ND
Price: 15.8722 EUR
Availability: InStock

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DIW065SIC049
DigiKey-Teilenr.	4878-DIW065SIC049-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DIW065SIC049
Beschreibung	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 60A, 6
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DIW065SIC049 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	49mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	128 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2612 pF @ 600 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	550W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	€ 7,97067	€ 239,12
120	€ 6,86783	€ 824,14
510	€ 6,77496	€ 3 455,23

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