Name: DIT100N10
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIT100N10-ND
Price: 2.5254 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DIT100N10
DigiKey-Teilenr.	4878-DIT100N10-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DIT100N10
Beschreibung	MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DIT100N10 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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50	€ 1,01060	€ 50,53
100	€ 0,90750	€ 90,75
500	€ 0,72662	€ 363,31
1 000	€ 0,66847	€ 668,47
2 000	€ 0,61957	€ 1 239,14
5 000	€ 0,58181	€ 2 909,05

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