N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)
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DI200N10D2

DigiKey-Teilenr.
4878-DI200N10D2-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DI200N10D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
DI200N10D2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
262 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
16800 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
340W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AB (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
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Menge
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Standardverpackung des Herstellers
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