Name: ZVNL110GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZVNL110GTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZVNL110GTA
DigiKey-Teilenr.	ZVNL110GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZVNL110GCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZVNL110GTA
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 600mA (Ta) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	600mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	75 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	ZVNL110