Name: DMWS120H100SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWS120H100SM4-ND
Price: 21.3012 EUR
Availability: InStock

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DMWS120H100SM4
DigiKey-Teilenr.	31-DMWS120H100SM4-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMWS120H100SM4
Beschreibung	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	37,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1516 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	DMWS120

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30	€ 11,01100	€ 330,33
120	€ 10,28567	€ 1 234,28

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