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DMTH10H032LFVW-7
Diodes Incorporated
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DMTH10H032LFVWQ-13
Diodes Incorporated
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DMTH10H032LFVWQ-7
Diodes Incorporated
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N-Kanal 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
DMTH43M8LFVW-7

DMTH10H032LFVW-13

DigiKey-Teilenr.
31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Hersteller
Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer
DMTH10H032LFVW-13
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
30mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
683 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMTH10
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51 000€ 0,16584€ 8 457,84
Standardverpackung des Herstellers
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