Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 1.952 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H017LPDQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H017LPDQ-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Type E)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,4mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28,6nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1986pF bei 50V
Leistung - Max.	1,5W (Ta), 93W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Type E)
Basis-Produktnummer	DMTH10