Name: DMT15H053SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT15H053SK3-13-ND
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

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DMT15H053SK3-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT15H053SK3-13-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT15H053SK3-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 21 A (Tc) 1,7W (Ta) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.5 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 814 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,7W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252 (DPAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer DMT15

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