Name: DMT10H072LFDFQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDFQ-13TR-ND
Price: 0.21621 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT10H072LFDFQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H072LFDFQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H072LFDFQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4 A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.5 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 228 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten U-DFN2020-6 (Typ F)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 62mOhm bei 4,5A, 10V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMT10