Name: DMT10H032LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H032LFDF-7TR-ND
Price: 1.3054 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT10H032LFDF-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H032LFDF-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT10H032LFDF-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT10H032LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H032LFDF-7
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 6 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ F)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMT10H032LFDF-7 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.9 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 683 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten U-DFN2020-6 (Typ F)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 32mOhm bei 6A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 325

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)