Name: DMN62D0SFD-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D0SFD-7DITR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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DMN62D0SFD-7
cms-digikey-product-number	DMN62D0SFD-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN62D0SFD-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN62D0SFD-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMN62D0SFD-7
cms-description	MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
cms-standard-lead-time	12 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1212-3
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	540mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	30.2 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	430mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1212-3
Gehäuse / Hülle	3-UDFN
Basis-Produktnummer	DMN62

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Auf Lager: 14 836

Bestand des Herstellers: 507 000

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)