Name: DMN3900UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3900UFA-7BTR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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DMN3900UFA-7B
DigiKey-Teilenr.	DMN3900UFA-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN3900UFA-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN3900UFA-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3900UFA-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN0806-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	550mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	760mOhm bei 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	42.2 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	390mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN0806-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN3900

Fragen und Antworten zum Produkt

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