Name: DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4DITR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN32D2LFB4-7
DigiKey-Teilenr.	DMN32D2LFB4DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN32D2LFB4DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN32D2LFB4DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN32D2LFB4-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 100mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	39 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	350mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN32