Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 0.9638 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN3032LE-13
DigiKey-Teilenr.	DMN3032LE-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN3032LE-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3032LE-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 5,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN3032LE-13 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 498 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,6 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 3,2A, 10V	Basis-Produktnummer DMN3032

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 93 470

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)