Name: DMN2990UFO-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2990UFO-7BTR-ND
Price: 0.6222 EUR
Availability: InStock

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DMN2990UFO-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN2990UFO-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN2990UFO-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN2990UFO-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN2990UFO-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 750mA (Ta) 840mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN0604-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	750mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	990mOhm bei 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.41 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	31 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	840mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN0604-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN2990

Fragen und Antworten zum Produkt

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