CDBJSC10650-G Comchip Technology | Diskrete Halbleiterprodukte

Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220F

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CDBJSC10650-G
DigiKey-Teilenr.	641-1938-ND
Hersteller	Comchip Technology
Hersteller-Teilenummer	CDBJSC10650-G
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Comchip Technology
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	100 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	710pF bei 0V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	CDBJSC10650

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