Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N2219 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N2219TIN/LEAD-ND
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer
2N2219 TIN/LEAD
Beschreibung
30V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,6V bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 150mA, 10V
Leistung - Max.
800 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
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