Name: BSDH10G65E2
Brand: Bourns Inc.
SKU: 118-BSDH10G65E2-ND
Price: 4.2578 EUR
Availability: InStock

Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSDH10G65E2
DigiKey-Teilenr.	118-BSDH10G65E2-ND
Hersteller	Bourns Inc.
Hersteller-Teilenummer	BSDH10G65E2
Beschreibung	DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Bourns Inc.
Serie	BSD
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	50 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	323pF bei 1V, 1MHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	BSDH10G65

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500	€ 1,32396	€ 661,98
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