NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 16Kbit Parallel 100 ns 24-EDIP
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DS1220AB-100IND+

DigiKey-Teilenr.
DS1220AB-100IND+-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DS1220AB-100IND+
Beschreibung
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM) Speicher IC 16Kbit Parallel 100 ns 24-EDIP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
DS1220AB-100IND+ Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
100ns
Verpackung
Stange
Zugriffszeit
100 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
4,75V bis 5,25V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speichertyp
Nicht-flüchtig
Montagetyp
Durchkontaktierung
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
NVSRAM (nicht flüchtiger SRAM)
Gehäusetyp vom Lieferanten
24-EDIP
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
2K x 8
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 25
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 21,08000€ 21,08
14€ 19,28000€ 269,92
28€ 18,81143€ 526,72
56€ 18,34679€ 1 027,42
112€ 17,88768€ 2 003,42
252€ 17,35972€ 4 374,65
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 21,08000
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