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N-Kanal 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOT470

DigiKey-Teilenr.
AOT470-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOT470
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5640 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,1W (Ta), 268W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT47
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