Name: AOB410L
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: 785-AOB410L-ND
Price: 1.70657 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 100 V 12 A (Ta), 150 A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOB410L
DigiKey-Teilenr.	785-AOB410L-ND
Hersteller	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer	AOB410L
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Ta), 150 A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie	SDMOS™
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta), 150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	129 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7950 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,9W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	AOB410

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