The Micro Commercial Co 100 V dual N- and P-Channel MOSFET in DFN3333-D package are designed for compact power applications.
The MCC SICWT40120G6M SiC Schottky diode is optimized for demanding power systems requiring reliable operation under extreme conditions.
PFE1500FB Series AC/DC Power Modules
Datum der Veröffentlichung: 2026-04-22
TDK-Lambda 1,500 W rated PFE1500FB AC/DC power modules are third-generation products accepting a wide 85 VAC to 305 VAC input range.
LBA Series Enclosed AC/DC Power Supplies
Datum der Veröffentlichung: 2026-04-22
XP Power LBA series compact, chassis mount AC/DC power supplies deliver consistent, reliable performance across a wide range of industrial technology applications.
Updated
Hochspannungs-DC/DC-Wandler der Serie HRC05
Aktualisiert: 2026-04-17
Die geregelten Hochspannungs-DC/DC-Wandler der Serie HRC05 von XP Power wurden für Analyse-, Halbleiter- und Detektoranwendungen konzipiert.
The Renesas RRW11011 500 W AC/DC primary-side digital controller is optimized to operate with the Renesas RRW30120 secondary side controller for SSR.
The RRW40120 is a high-voltage, high-frequency gate driver for HS and LS switching devices optimized for Renesas SuperGaN® FETs and conventional power MOSFETs.
Die Doppel-N-Kanal-MOSFETs MCACLS1D6N06YH-TP von MCC sind für hocheffiziente Leistungsschaltungen und kompakte Leistungsstufen ausgelegt.
100-V-N-Kanal-MOSFETs sind mit der Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie ausgestattet, optimiert für geringe Schaltverluste und höhere Wirkungsgrade.
Die extrem schnellen Gleichrichter FRED Pt® von Vishay im DFN6546A-Gehäuse ermöglichen eine effizientere Nutzung des Leiterplattenplatzes und bieten gleichzeitig ein verbessertes thermisches Verhalten.
Der MCACL190N06Y-TP von MCC ist ein leistungsstarker 60-V-N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN5060-C-Gehäuse.
Die 40-V-G3-CoolGaN™-BDS-Bauelemente von Infineon Technologies sind ultraschnell schaltende, hocheffiziente und kompakte Leistungslösungen für Niederspannungsanwendungen der nächsten Generation.
Der EPR-Regler RRW30120 von Renesas für USB PD 3.2 bietet einen 48-V-Ausgang und unterstützt Netzteile mit mehreren Anschlüssen.
Die SiP-Sperrregler RRW2111x und RRW221xx von Renesas mit primärseitiger Regelung bieten eine fünfstufige Kompensation für Kabelabfälle.
Der 40-V-N-Kanal-MOSFET MCTLD58N04Y-TP von MCC zeichnet sich durch eine hohe Avalanche-Festigkeit aus, die einen starken Schutz vor induktivem Rückschlag und hohe Systemzuverlässigkeit gewährleistet.
Die Leistungs-MOSFET der Serie MCAC von Micro Commercial Components sind mit Drain-Source-Spannungsklassen von 40 V und 100 V erhältlich, um verschiedene Leistungsarchitekturen zu unterstützen.
Die IGBTs MIW40NxxAH2Y von Micro Commercial Components sind ideal für Hochspannungsschaltungen, thermische Stabilität und elektrische Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen.
Das hocheffiziente Doppel-N-Kanal-MOSFET-Array MCACD8D5N06YL-TP von MCC mit 60 V und 50 A ist in einem kompakten PDFN5060-8D-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht.
SiC-Schottky-Dioden SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP von MCC bieten eine hervorragende Schalteffizienz, eine vernachlässigbare Umkehrerholung und thermische Stabilität.
Der fortschrittliche Regler RRW43110 von Renesas mit Synchrongleichrichtung bietet eine breite Ausgangsspannungsunterstützung bis 48 V und eine hohe Leistungsdichte.

