TVS-Diode DF2B6M4BSL

Die DF2B6M4BSL von Toshiba ist eine TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität für Hochfrequenzantennen. Die Diode schützt Halbleiter und andere Komponenten der Elektronik vor statischer Elektrizität und Rauschen und unterdrückt gleichzeitig die Signalminderung.

Elektronische Komponenten in Hochfrequenzantennen, die in der Kommunikation, wie z.B. Wi-Fi®, eingesetzt werden, müssen durch Unterdrückung hoher Klirrfaktoren geschützt werden. Die DF2B6M4BSL liefert eine geringe Kapazität von 0,15 pF (max.) Diese TVS-Diode verwendet eine extrem niedrige Kapazität, um hohe Klirrfaktoren zu unterdrücken und statische Elektrizität und Rauschen zu reduzieren, die die Performance des Antennenempfangs beeinträchtigen können.

Der DF2B6M4BSL kann anstelle von ESD-Unterdrückern eingesetzt werden, die manchmal in Hochfrequenzantennen verwendet werden, und bietet eine höhere Schutz-Performance und eine niedrigere elektrostatische Spannung.

Die DF2B6M4BSL verbessert nicht nur die Zuverlässigkeit von Hochfrequenzantennen, sondern eignet sich auch für den ESD-Schutz von Signalleitungen.

Merkmale/Funktionen

• Niedrige Kapazität: C_t=0,12 pF (typ.) / 0,15 pF (max.) bei VR=0 V, f=1 MHz
• Geringe Klirrfaktor-Charakteristik:
  • Eingangsbedingungen: f = 2,4 GHz, 20 dBm
  • 2. Oberwellen: -65,5 dBm (Referenz)
  • 3. Oberwellen: -54,4 dBm (Referenz)
  • Eingangsbedingungen: f = 5,0 GHz, 20 dBm
  • 2. Oberwellen: -64,7 dBm (Referenz)
  • 3. Oberwellen: -55,5 dBm (Referenz)
• Geringe V_SCHEITELWERT-Spannung: V_{CL-max-Scheitelwert} = 215 V (Referenz) bei IEC61000-4-2 (Kontakt), +8-kV-Eingang

Anwendungen/Zielmärkte

• ESD-Schutz in Hochfrequenzantennen und Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen in Elektronikausrüstungen, wie IoT- und mobilen Komponenten