Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Leistungs-MOSFET-Komponenten für die Automobiltechnik

Die Leistungs-MOSFETs von Toshiba gewährleisten schnelle Schaltgeschwindigkeiten ohne Leistungseinbußen hinsichtlich des EMI-Rauschpegels

Abbildung: Leistungs-MOSFETS von Toshiba für die AutomobiltechnikToshiba bietet eine umfangreiche Palette von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Automobilanwendungen in 12-V- bis 48-V-Batteriesystemen abdecken. Leistung und Zuverlässigkeit sind die Eckpfeiler ihrer Produkte. Alle Automobilprodukte von Toshiba übertreffen die AEC-Q101-Normen.

Höhere Schaltfrequenzen in Verbindung mit höherer Leistung erfordern Komponenten, die niedrigere Einschaltwiderstände haben, aber gleichzeitig schnelle Schaltgeschwindigkeiten ohne Leistungseinbußen hinsichtlich des EMI-Rauschpegels gewährleisten. Toshiba hat hochmoderne Wafer-Prozesse zur Unterdrückung von Schaltgeräuschen entwickelt und damit das Produktdesign weiter verbessert.

Durch die Kombination fortschrittlicher Wafer-Prozesse mit widerstandsarmen Gehäusetechnologien werden branchenweit niedrigste Durchlasswiderstandswerte erreicht. Die in den MOSFETs von Toshiba verwendeten Kupferverbinder tragen zu einem extrem niedrigen Gehäusewiderstand und einer extrem niedrigen Induktivität bei. Dieser niedrige Widerstand trägt zur Verringerung von Energieverlusten und zur Miniaturisierung von Anwendungen bei.

Die Einführung von Gehäusen mit benetzbaren Flanken ermöglicht eine bessere automatische optische Inspektion (AOI) und hilft gleichzeitig bei der Lotaufnahme. Solche Verbesserungen tragen dazu bei, dass der Chip unter einer Vielzahl extremer Zuverlässigkeitsbedingungen lange hält.

Merkmale
  • Geringer Durchlasswiderstand:
    • RDS(ON) = 0,74 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TKR74F04PB mit 40-V-WARP-TO-220SM(W)-Gehäuse)
    • RDS(ON) = 3,3 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TK90S06N1L mit 60-V-DPAK+-Gehäuse)
    • RDS(ON) = 2,4 mΩ (max.) bei VGS = 10 V (TK160F10N1L mit 100-V-WARP-TO-220SM(W)-Gehäuse)
  • 40-V-, 60-V-, 100-V-P-Kanal- und N-Kanal-MOSFETs für Automobilanwendungen mit gering dimensioniertem, oberflächenmontierbarem Gehäuse
  • AEC-Q101-konform
  • SOP-Advance-(WF)-, TSON-Advance-(WF)- und DSOP-Advance-(WF)-Gehäuse mit benetzbarer Flanken-Abschluss-Struktur
Anwendungen
  • Automobiltechnik
  • Netzteile
  • LED-Scheinwerfer
  • Motorantriebe
  • Schaltregler
  • Lastschalter
Produkte von Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive können als technische Muster verwendet werden. Sie sind jedoch nicht für die Automobil-Massenproduktion oder Zuverlässigkeitstests ohne vorherige Genehmigung durch Toshiba Semiconductor and Storage vorgesehen

40 V Drain to Source Voltage

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOPTPW1R104PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP8244 - Sofort$1.98Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOPTPWR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP11601 - Sofort$2.38Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A 8SOPTPH1R104PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 120A 8SOP3746 - Sofort$2.44Details anzeigen

60 V Drain to Source Voltage

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET P-CH 60V 8A DPAKTJ8S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 8A DPAK1897 - Sofort$1.16Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 25A DPAKTK25S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 25A DPAK2581 - Sofort$1.25Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 15A DPAKTJ15S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 15A DPAK5979 - Sofort$1.26Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 40A DPAKTK40S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 40A DPAK6659 - Sofort$1.39Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 30A DPAKTJ30S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 30A DPAK4260 - Sofort$1.50Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSONXPN6R706NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 40A 8TSON27242 - Sofort$1.27Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 50A DPAKTJ50S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 50A DPAK3912 - Sofort$1.74Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 60A DPAKTJ60S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 60A DPAK3071 - Sofort$1.89Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 90A DPAKTK90S06N1L,LXHQMOSFET N-CH 60V 90A DPAK6834 - Sofort$1.95Details anzeigen

100 V Drain to Source Voltage

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 100V 33A DPAKTK33S10N1Z,LXHQMOSFET N-CH 100V 33A DPAK3528 - Sofort$1.70Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 55A DPAKTK55S10N1,LXHQMOSFET N-CH 100V 55A DPAK4391 - Sofort$1.92Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOPXPW6R30ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP4606 - Sofort$2.35Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMTK160F10N1,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM4352 - Sofort$4.12Details anzeigen
Veröffentlicht: 2020-08-19

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