N-Kanal-MOSFET RY7P250BM

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Produktempfehlungen > N-Kanal-MOSFET RY7P250BM

            N-Kanal-MOSFET RY7P250BM
                    Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor eignet sich dank seines robusten Designs ideal für Hot-Swap-Controller
    

Abbildung: N-Kanal-FET RY7P250BM von ROHM Semiconductor Der RY7P250BM von ROHM Semiconductor ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand in einem hochleistungsfähigen DFN8080-8S-Gehäuse. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seines robusten Designs und seines großen sicheren Betriebsbereichs ideal für anspruchsvolle Anwendungen, besonders Hot-Swap-Controller.

Merkmale/Funktionen

Geringer Durchlasswiderstand
Leistungsfähiges Gehäuse (DFN8080)
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
Vollständig R_G- und UIS-getestet
Breiter sicherer Betriebsbereich

Anwendungen/Zielmärkte

48-V-KI-Serversysteme und Hot-Swap-fähige Stromversorgungskreise in Rechenzentren
48-V-Stromversorgungssysteme für Industriegeräte (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter und Lüftermotoren)