7-polige SiC-MOSFETs

ROHM Semiconductor erweitert sein Portfolio an diskreten Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs um Bauelemente, die jetzt im TO-263-7L-SMD-Gehäuse erhältlich sind. Der Vorteil der Kelvin-Verbindung zum Source-Anschluss des SiC-MOSFETs, die das TO-263-7L-Gehäuse bietet, ist in der folgenden Abbildung dargestellt. Die Haupt-Source-Induktivität (_LS) wird nicht mehr von der Gate-Drive-Schleife und dem Hauptstrompfad geteilt. Dadurch kann das Gerät schneller geschaltet werden, was zu geringeren Schaltverlusten führt.

Das TO-263-7L SMD-Gehäuse und seine parasitären Induktivitäten

Beim Einschalten ist der dreipolige Baustein in der Schaltgeschwindigkeit begrenzt, da der induktive Spannungsabfall über den Source-Anschluss die effektive Gate-Spannung reduziert, was zu einer langen di/dt-Übergangszeit und erheblichen Einschaltverlusten führt. Bei einem Baustein im SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source-Anbindung an den Gate-Treiber ist diese Zeitspanne kürzer und damit die Einschaltverluste geringer. Ebenso kann aufgrund des reduzierten parasitären Induktivitätseffekts im TO263-7L-Gehäuse eine wesentlich höhere di/dt-Geschwindigkeit in der Ausschalttransiente erreicht werden, was zu geringeren Ausschaltverlusten führt als im TO-247-Gehäuse.

Während SiC-MOSFETs sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten erreichen können, die den Energieverlust in leistungselektronischen Wandlern erheblich reduzieren, kann das volle Potenzial der Bauelemente aufgrund der Einschränkungen der traditionellen Leistungshalbleitergehäuse nicht immer genutzt werden. Dieses modernisierte Gehäuse von ROHM zielt darauf ab, diese Einschränkung zu beseitigen.