MRAM der Serie M1000/M3000

Der hochschnelle, leistungsstark, nichtflüchtige MRAM von Renesas bietet überlegene Zuverlässigkeit

Bild des MRAM der M1000/M3000 Serie von RenesasRenesas Die MRAM-Familie von leistungsstarken nichtflüchtigen 108-MHz-Hochgeschwindigkeits-RAMs bietet überlegene Zuverlässigkeit und eine Datenhaltezeit von mehr als 20 Jahren. Im Vergleich zu nichtflüchtigem SRAM sind keine Backup-Batterien oder Kondensatoren erforderlich. Der M30xx unterstützt vier SPI-SDR- und DDR-Schnittstellen, arbeitet im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C (Industrie-Plus-Version) und ist im SOIC- oder WSON-Gehäuse erhältlich. Die MRAM-Komponenten sind ideal für hochschnelle, nichtflüchtige Speicheranwendungen wie Programmdatenspeicherung und Datensicherung.

Merkmale
  • Nichtflüchtiger Speicher
  • Hohe Ausdauer: >10E16 Zyklen
  • Datenerhaltungszeit: >20 Jahre
  • Schnelles Lesen und Schreiben, keine Wait Writes
  • Datenschutz mit Hardwareschutzmodus (HPM), benutzerprogrammierbarem/sperrbarem Spezial-NVM und Softwareschutzmodus (SPM)
  • Kein Batterie-Backup erforderlich
  • Nutzt die fortschrittliche pMTJ-STT-MRAM-Technologie
  • Speicherdichte: 4 Mb bis 16 Mb
  • Hochschnelle Quad-SPI-Schnittstelle, bis zu 108-MHz-SDR-Modus
  • Niedrigster aktiver Schreib- und Lesestrom
  • Unabhängiger, benutzerprogrammierbarer und sperrbarer 256-Byte-NVM
  • Industrielle Betriebstemperatur: -40 °C bis +105 °C
  • Versorgungsspannung: 1,8 V, 3 V
  • Gehäuse: 8-poliges SOIC und 8-Pad-WSON
Anwendungen
  • Industrielle Steuerung & Automatisierung
  • Medizinische Geräte
  • Am Körper getragene Elektronik (Wearables)
  • Netzwerksysteme
  • Speicherung/RAID
  • Automobiltechnik

MRAM Microcontroller

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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MRAM Evaluation Board

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Veröffentlicht: 2020-06-17